재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, A…
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작성일 23-01-31 18:22
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(6) 시료 준비
(2) 결과 analysis
(1) 기본원리
4. 색인서(Index book)
(1) 장치 구성
(3) FTIR의 구성
(2) 전자저울 종류
8. ICP-MS (Inductively Coupled Plasma)
레포트 > 공학,기술계열
(4) 적용범위
2. X선에 의한 동정법의 한계
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
(2) AES/SAM의 구조
(1) EDS 개요
여러가지 측정(measurement) 방법에 대한 원리, test(실험) 방법, 적용범위
2. Direction of Diffracted Beam
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
1. 조성의 analysis
3. ICDD card
(2) EDS를 이용한 정component석
(1) ICP-MS란?
(5) 정량 analysis (Quantitative analysis)
2. TG 미분곡선
(7) 長點과 단점
(3) DTA peak 해석
2. 열안정성
(3) AESanalysis의 종류
4. 전형적인 TG-curve
(3) XRF의 종류
(1) 기본원리
3. 미분곡선을 이용하는 이점
(4) FTIR에서의 Sampling 기법
(2)Bragg’s Law
(2) ESCA 장치의 주요 구조
조성측정방법 , XRD , TGA , DTA , FTIR , AES , EDS , XRF , ICP-MS , AAS
Reference
(2) XRF의 이용
3. analysis에 이용하는 X-ray는?
2. X-ray의 발생
1. X-선 회절의 조건은?
(4) analysis방법
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(3)XRD 시스템
(4) 충전효과(charging effect)
(3) 기존 장비와의 비교
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(3) EDS를 이용한 원소의 정량analysis
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
(5) 주요 적용 범위
1) X-ray 발생장치(X-ray Generator)
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
(5) DTA의 특징
3) 계수기록장치(Electronic Circuit Panel)
(2) FTIR의 characteristic(특성)
(1)X-ray 기본원리
(4) 측정(測定) 방법
1. X-ray란?
2. TGA (ThermoGravimetric Analysis)
(1) 기본원리
1. XRD (X-ray Diffraction)
7. XRF (X-Ray Flourescence Spectrometry)
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(4)XRD 實驗방법
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
(3) TG의 가중기법
(2) AAS의 구성
재료의 조성 측정(measurement)방법
설명
3. 분해reaction 속도 항수의 계산
(2) 구성장치
(1) 장치 구성
4. 응용예
(1) X-선 형광이란
순서
(1) AAS원리
2). Goniometer
(3) 감도 및 검출 한계
(4) 시차온도곡선의 이해
4. FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy)
3. DTA (Differential Temperature Analyzer)
(5) analysis방법
1. TG 곡선의 의미
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) 여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위 재료의 조성 측정방법
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
1. XRD 구성
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
재료의 조성 측정(測定) 방법
4)Filter
다.
